TLC 是 "Triple-Level Cell" 的缩写，即三层单元闪存。它是一种闪存存储技术，在一个闪存单元中可以存储 3 位二进制数据（2³ = 8 种状态）。与SLC（Single-Level Cell，单层单元闪存）和MLC（Multi-Level Cell，多层单元闪存）相比，TLC 在成本上相对较为经济，因为一个单元可以存储更多的信息。然而，TLC 的缺点是它的写入速度和寿命通常不如 SLC 和 MLC。TLC 广泛应用于固态硬盘（SSD）和闪存卡等存储设备中，以提供较高的存储密度和较低的成本。